美光加速HBM4量产，明年推采用EUV工艺的HBM4E，台积电代工基础裸片

SmartHey5月26日消息，据韩媒 The Elec 报道，美光科技第六代高带宽内存（HBM4）正稳步推进产能扩张，并计划于2027年启动下一代HBM4E标准产品的量产。

当地时间5月20日，美光科技全球运营执行副总裁马尼什・巴蒂亚在摩根大通投资者会议上透露，HBM4的量产爬坡速度已达去年12层HBM3E产品的约两倍，良率提升也更为迅速。据悉，HBM4主要面向英伟达Vera Rubin AI计算平台。

美光指出，HBM4量产提速主要得益于三大因素：其一，延续了HBM3及12层HBM3E量产过程中积累的成熟经验与学习效应；其二，HBM4核心DRAM裸片采用美光10纳米级第五代1-beta（1β）工艺，该工艺已成公司主力制程，在性能与良率方面均展现出高度稳定性；其三，美光自主优化了基础裸片（base die）设计，结合1β DRAM与自研裸片，进一步提升了产品整体质量与性能表现。

值得注意的是，从下一代HBM4E开始，美光将调整部分制造策略：其核心DRAM裸片将升级至10纳米级第六代1-gamma（1γ）工艺。该工艺对标三星电子与SK海力士的1c节点，也是美光首次引入ASML极紫外光刻（EUV）设备进行量产的DRAM工艺节点。

此外，HBM4E的基础裸片将不再由美光自产，转而交由台积电代工。巴蒂亚表示，目前HBM4E研发进展顺利，预计将于2027年正式进入量产阶段。

首批HBM4E产品将遵循JEDEC国际标准，同时美光也在同步开发面向特定客户定制的高性能版本。尽管定制版成本更高，但凭借显著提升的带宽、能效及功能灵活性，美光判断市场需求将持续强劲。

美光还预计，到2026年年中，采用1γ工艺制造的DRAM以及第九代NAND闪存，将合计占公司总位元（bit）出货量的50%以上；其中，1γ DRAM有望成为美光历史上晶圆产量规模最大的单一DRAM工艺节点。