铭芯启睿发布首款1Gb高密度RRAM芯片“泰山一号”，采用28nm工艺与1T4R架构

SmartHey10月12日消息，铭芯启睿（MemSilicon）正式宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片——“泰山一号（MountTai 2026）”的流片工作。

“泰山一号”标志着MemSilicon将1TnR这一高密度、大容量新型存储技术，从实验室研究阶段成功推进至Gb级芯片产品化落地的关键一步。该技术通过多个阻变存储单元共享单个选择晶体管（1TnR结构），显著提升单位面积存储密度；同时采用与标准CMOS工艺完全兼容的后道集成方案，在保证高性能的同时有效控制制造成本，实现密度、容量与经济性的多重优化。

该芯片基于成熟的28nm CMOS工艺平台，采用1T4R存储单元结构，单颗芯片容量达1Gb，存储密度高达30Mb/mm²，读写访问延时低于20ns，并内置片上硬件纠错（ECC）电路，在大容量、高密度与高速响应之间取得均衡突破，为AI边缘计算、智能终端及嵌入式系统等场景提供具备国际先进水平的片上非易失存储新选择。

目前，“泰山一号”已完成流片，正全面开展功能验证与可靠性测试。