SK海力士宣布投资54万亿韩元新建龙仁Y2与清州M17晶圆厂，加速AI存储产能布局

SmartHey8月7日消息，SK海力士（以下简称“公司”）于8月7日宣布，将在韩国龙仁和清州两地新建两座先进晶圆厂（Fab），以满足人工智能时代持续攀升的高性能存储器需求。

当日，公司董事会正式批准两项重大投资：在龙仁“Y2”晶圆厂项目中投入35.2万亿韩元，在清州“M17”晶圆厂项目中投入19.1万亿韩元，总投资额达约54万亿韩元（约合人民币2800亿元）。

此次决策是公司落实今年6月发布的中长期投资战略的关键一步。根据该战略，SK海力士计划向龙仁半导体集群总投资600万亿韩元，向清州生产基地扩建投资100万亿韩元。目前，龙仁首座晶圆厂（Y1）建设进展顺利，而Y2与M17项目的启动，标志着两大基地后续产能扩张已全面展开。

龙仁Y2是龙仁半导体集群规划中四座晶圆厂的第二座，总建筑面积约34.1万坪（约113万平方米），定位为新一代DRAM核心生产基地。

项目预计于2027年7月正式开工，2029年6月启用首个无尘室，主要量产HBM3、HBM4等高带宽内存产品。作为对比，Y1晶圆厂正按计划推进，首个无尘室将于2027年2月启用。

值得一提的是，SK海力士已将龙仁半导体集群整体竣工时间由原定的2045年大幅提前至2033年——Y2建设正是实现这一提速目标的第二阶段核心工程，相关投资将分阶段持续至2031年10月。

本次投资不仅涵盖晶圆厂主体建设，还包括配套员工办公与生活设施“支援楼”、集产品研发、实验验证、性能测试与材料分析于一体的“研发综合中心”，以及物流、环保、能源管理等一体化配套设施。

龙仁半导体集群坐落于京畿道龙仁市处仁区远三面，总占地约126万坪（约416万平方米）。目前，支撑Y2投产的一期电力、供水及道路等基础设施建设已完成99%，进入最后调试阶段。公司强调，将坚持“晶圆厂建设与基建同步推进”原则，确保Y2如期投产、工期零延误。

选择清州建设M17晶圆厂，主要基于其成熟的NAND闪存产业基础：现有M11、M12、M15产线已稳定运行，新厂可快速实现产线协同、技术复用与供应链整合；同时，厂址规划、电力容量及工业用水系统均已基本就绪，显著缩短建设周期。

清州M17晶圆厂总建筑面积约20.6万坪（约68万平方米），计划于2027年2月动工，2028年12月启用首个无尘室，投资将分阶段实施至2031年4月，全面支撑未来PCIe 6.0 SSD及XL-Flash等新型NAND产品量产需求。