美光：存储供应短缺之困或将持续至 2028 年

SmartHey1月12日消息，据外媒 Wccftech 报道，美光移动与客户端业务部门市场副总裁克里斯托弗·摩尔(Christopher Moore) 表示，由于晶圆厂扩建周期漫长、认证流程复杂，存储器供应紧张的问题在 2028 年前难以明显改善。

这一判断与美光的长期扩产规划相呼应。据悉，美光纽约首座晶圆厂计划于 2030 年投产，第二座工厂预计在 2033 年上线，第四座工厂则规划在 2045 年前后完成。同时，美光爱达荷州第一座晶圆厂预计 2027 年开始 DRAM 生产，第二座爱达荷工厂的投产时间将早于纽约首厂。

摩尔指出，新建晶圆厂不仅涉及基础设施建设，还包括客户认证以及满足 AI 客户对制程和良率的高标准要求，这些因素均会延长整体时间表。因此，在全部审批和认证完成之前，美光爱达荷工厂难以实现大规模量产，真正显著的产能释放预计将出现在 2028 年之后。

摩尔同时强调，仅靠新工厂投产无法迅速缓解当前的存储器短缺局面，另一大制约因素在于客户对不同容量模组的多样化需求。例如，当苹果等客户同时下单 8GB、12GB 和 16GB 模组时，生产线需频繁切换配置，导致整体生产效率下降。

AI 相关需求的快速增长已成为美光不可忽视的战略重点。摩尔表示，数据中心和企业级市场正在加速扩张，其在美光整体存储器业务中的占比已从此前的 30% 至 35% 上升至接近 50% 至 60%。

外媒 Tom’s Hardware 的报道提到，美光退出英睿达(Crucial）品牌，反映出公司正将资源集中转向企业级 DRAM 和 SSD 领域，以更好地应对 AI 带来的强劲需求增长。

从报道中获悉，美光认为，随着中国存储器厂商加快布局 DDR5 和 HBM 等先进产品，全球范围内的竞争加剧反而有助于推动公司持续提升技术能力，从而更高效地服务客户并巩固市场地位。