美光广岛工厂启动HBM芯片扩建项目，总投资93亿美元，2028年夏季投产

日前，美光科技正式动工建设其位于日本西部广岛工厂的扩建项目。该项目总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元），重点用于高带宽存储器（HBM）等先进存储芯片的量产，以响应人工智能（AI）快速发展所催生的强劲存储需求。

HBM是支撑英伟达等厂商高性能AI加速器的核心存储技术。新产线预计于2028年夏季实现首批产品出货。为助力这一战略性布局，日本经济产业省已明确承诺提供最高5000亿日元的财政补贴。

在奠基仪式上，美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra强调：“美光全球首批面向人工智能核心应用的HBM晶圆，正是诞生于广岛工厂——这里已成为我们AI时代存储技术创新与制造的重要基地。”